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三星計(jì)劃2020年量產(chǎn)4nm制程

三星在上周宣布拆分其代工業(yè)務(wù)成為獨(dú)立單位——SamsungFoundry，同時(shí)計(jì)劃在2018年7nm節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入EUV微影技術(shù)...

　　三星電子(SamsungElectronics)日前更新其代工技術(shù)藍(lán)圖，詳細(xì)介紹該公司的第二代FD-SOI平臺進(jìn)展、多種塊材矽(bulksilicon)FinFET制程微縮至5nm，以及計(jì)劃在2020年推出4nm“后FinFET”結(jié)構(gòu)制程。

　　三星在上周宣布拆分其代工業(yè)務(wù)成為獨(dú)立單位，稱為SamsungFoundry，同時(shí)重申先前發(fā)布的計(jì)劃——在2018年7nm節(jié)點(diǎn)時(shí)將極紫外光(EUV)微影技術(shù)投入生產(chǎn)。

　　三星代工行銷資深總監(jiān)KelvinLow表示：“我們極其積極地經(jīng)營我們的開發(fā)藍(lán)圖，不只是作規(guī)劃，而且也宣布未來三到四年內(nèi)要做的事?！?/span>

　　在該公司于加州舉行的年度代工技術(shù)論壇上，三星發(fā)布的重大技術(shù)突破是其專有的下一代產(chǎn)品架構(gòu)，稱為多橋通道場效電晶體(MBCFET)。據(jù)稱這種結(jié)構(gòu)是三星自行開發(fā)的全包覆式閘極場效電晶體(GAAFET)專有技術(shù)，采用奈米薄片元件，克服FinFET架構(gòu)的實(shí)體微縮與性能限制。

　　三星的開發(fā)藍(lán)圖計(jì)劃在2020年時(shí)以4nm低功耗(LPP)制程投產(chǎn)MBCFET技術(shù)。

　　而從現(xiàn)在到2020年，三星預(yù)計(jì)今年將投產(chǎn)8nmLPP制程，明年推出搭配EUV微影的7nmLPP制程，而在2019年計(jì)劃推出5nm和6nmLPP制程。

　　EUV長久以來承諾可成功實(shí)現(xiàn)193nm浸潤式微影技術(shù)，如今終于發(fā)展到即將投入生產(chǎn)之際。三星主要的競爭手——臺積電(TSMC)與Globalfoundries，均已宣布在2019年將EUV用于生產(chǎn)的計(jì)劃了。

　　三星已在制程開發(fā)中展現(xiàn)250WEUV光源生產(chǎn)的目標(biāo)。根據(jù)Low，透過EUV微影，可望達(dá)到每天1,500萬片晶圓的產(chǎn)能。三星目前已能達(dá)到每日1,000片晶圓產(chǎn)能，并且有信心很快就能實(shí)現(xiàn)1,500萬片晶圓產(chǎn)能的目標(biāo)。

　　三星計(jì)劃2020年量產(chǎn)4nm制程0

　　三星半導(dǎo)體部門總裁KinamKim發(fā)布該公司的代工制程藍(lán)圖

　　“我們有信心能準(zhǔn)備好在2018年將EUV投入生產(chǎn)，”Low說：“這已經(jīng)不再只是概念性的開發(fā)藍(lán)圖。”

　　Low表示，相較于其競爭對手，三星將10nm節(jié)點(diǎn)視為“長前置期節(jié)點(diǎn)”(long-leadnode)，即在相當(dāng)長的一段時(shí)間內(nèi)可為客戶提供先進(jìn)設(shè)計(jì)所要求的性能和功耗。

　　“只要功耗、性能和生產(chǎn)規(guī)模達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)，我們認(rèn)為這就會(huì)是一個(gè)非常有生產(chǎn)力的節(jié)點(diǎn)，”Low說。

　　三星還詳細(xì)介紹了計(jì)劃在2019年投入生產(chǎn)的18nmFD-SOI制程技術(shù)。預(yù)計(jì)在提供第二代FD-SOI平臺之前，該公司將借由整合射頻(RF)與嵌入式MRAM，逐步擴(kuò)展現(xiàn)有的28nmFD-SOI制程至更廣泛的平臺。相較于上一代平臺，三星預(yù)計(jì)其第二代FD-SOI平臺功耗更低40%、性能和尺寸優(yōu)勢也提升了20%。

來源:EETTaiwan