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| 陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長郝躍當(dāng)選中國科學(xué)院院士 | ||
| 中國科學(xué)院網(wǎng)站12月19日公布了中國科學(xué)院2013年當(dāng)選院士名單，陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事長、西安電子科技大學(xué)郝躍教授當(dāng)選。 郝躍，漢族，安徽阜陽人，1958年出生，博士，教授，博士生導(dǎo)師。1982年畢業(yè)于西北電訊工程學(xué)院（現(xiàn)西安電子科技大學(xué)）技術(shù)物理系半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1985年獲得碩士學(xué)位，1991年于西安交通大學(xué)獲博士學(xué)位。是西安電子科技大學(xué)副校長，IEEE學(xué)會高級會員，中國電子學(xué)會常務(wù)理事，第九、第十屆全國政協(xié)委員和第十一屆全國人大代表，入選國家首批“百千萬人才工程”，陜西省“三五”人才程首批入選者；現(xiàn)為中國人民解放軍總裝備部科學(xué)技術(shù)委員會兼職委員，中國人民解放軍總裝備部軍用微電子技術(shù)專業(yè)組組長，教育部電子信息科學(xué)與工程類專業(yè)指導(dǎo)分委員會副主任委員；還擔(dān)任國家“核心電子器件、高端通用芯片和基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”重大科技專項(xiàng)總體組副組長，以及“核心電子器件”重大科技專項(xiàng)實(shí)施組組長。 郝躍教授長期從事微電子技術(shù)科研與教學(xué)工作，主要方向?yàn)榈谌雽?dǎo)體材料和器件、微米納米半導(dǎo)體器件與可靠性研究。他系統(tǒng)研究了GaN電子材料生長中缺陷形成的機(jī)理，基于自主方法，建立了2英寸、3至4英寸及6英寸三代自主國產(chǎn)化MOCVD系統(tǒng)和低缺陷材料生長工藝技術(shù)，研制出國際先進(jìn)水平的GaN電子材料，在國內(nèi)外得到應(yīng)用和好評。其設(shè)備與材料技術(shù)已經(jīng)得到產(chǎn)業(yè)化推廣和應(yīng)用。在高性能GaN基微波毫米波功率器件研制方面，結(jié)合自主提出的無應(yīng)變背勢壘和槽柵浮空場板等新型結(jié)構(gòu)，研制出高性能GaN微波毫米波功率器件，得到國內(nèi)外高度評價。同時自主建立了GaN微波毫米波功率器件的成套國產(chǎn)化工藝，研制成功的器件已在重點(diǎn)工程中得到試用。他研制成功了4GHz頻率下功率附加效率高達(dá)73%的MOS-HEMT微波功率器件，這一成果被國際同行評價“為高頻大功率系統(tǒng)應(yīng)用指明了方向”，并被認(rèn)為是近十年里國際GaN HEMT器件領(lǐng)域三方面標(biāo)志性成果之一。他先后對硅(Si)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)等三代半導(dǎo)體器件開展退化與失效機(jī)理研究，提出并建立自對準(zhǔn)槽柵半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)與制造工藝，對半導(dǎo)體器件的抗熱載流子退化、抗輻照加固等問題取得了卓有成效的研究成果。 他以第一完成人獲2009年國家技術(shù)發(fā)明二等獎、1998年國家科技進(jìn)步三等獎及2010 年“何梁何利”基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎。另獲國家科技進(jìn)步二獎1項(xiàng)（排名第五），省部級一、二等獎10余項(xiàng)。在國內(nèi)外發(fā)表的論文有168篇被SCI收錄、被引用601次，出版專著3部，獲國家發(fā)明專利授權(quán)57件。培養(yǎng)博士39名，碩士100余名。他是國家安全重大基礎(chǔ)研究（973）計劃首席科學(xué)家，其科研團(tuán)隊被評為08年國防科技創(chuàng)新團(tuán)隊。 郝躍教授近20年來一直從事寬禁帶半導(dǎo)體高功率微波電子學(xué)領(lǐng)域的開拓研究，在高質(zhì)量材料生長、器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新、工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)及其在極端環(huán)境下的可靠性、穩(wěn)定性的研究中取得了一系列重要的創(chuàng)新性成果，在國內(nèi)外同行中有重要影響，對開創(chuàng)我國寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件和高功率微波電子學(xué)研究做出了系統(tǒng)性、創(chuàng)造性的重要貢獻(xiàn)。 來源：中科院 |
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