研究人員驗證了紫外線在改進(jìn)半導(dǎo)體方面的用途
能源部國家可再生能源實驗室（NREL）兩位科學(xué)家的發(fā)現(xiàn)可以幫助下一代半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
研究人員Kwangwook Park和Kirstin Alberi通過試驗將兩個不同的半導(dǎo)體集成到異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，并使用光來修改它們之間的界面。通常，在電子器件中使用的半導(dǎo)體材料，會根據(jù)其是否具有類似晶體結(jié)構(gòu)、晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的因素來選擇。緊密匹配在層之間創(chuàng)建的完美的界面，會提高設(shè)備性能。使用不同類別的半導(dǎo)體可以為新設(shè)計的高效設(shè)備創(chuàng)造更多的可能性，但只有當(dāng)它們之間的接口可以正確地形成時才會有好的效果。
Park和Alberi確定了在異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長期間直接施加到半導(dǎo)體表面的紫外線（UV）光可以改變兩層之間的界面。他們的論文“光線定型異構(gòu)界面形成”已經(jīng)發(fā)表在科學(xué)報告中。
“這項工作的真正價值在于，我們現(xiàn)在將會了解到光線是如何影響界面形成的，這可以指導(dǎo)研究人員將來整合各種不同的半導(dǎo)體?！盤ark說。
研究人員在由砷化鎵（GaAs）層及在其上面生長的硒化鋅（ZnSe）層組成的模型系統(tǒng)中探討了這種方法。使用150瓦的氙氣燈照在生長表面上，他們通過改變光強(qiáng)度和界面起始條件來確定光刺激的界面形成的機(jī)制。Park和Alberi發(fā)現(xiàn)，UV光通過GaAs表面上的砷原子的光誘導(dǎo)解吸在界面處改變了化學(xué)鍵的混合，會增大鎵和硒之間化學(xué)鍵的比例，這有助于鈍化下面的GaAs層。照明還允許ZnSe在較低溫度下生長以更好地調(diào)節(jié)界面處的元素混合。NREL的科學(xué)家們建議將UV照明應(yīng)用于提高兩個薄層的光學(xué)性能。
出自：材料科技在線
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