群聯(lián)支援美光64層3D NAND 搶先卡位主流制程
群聯(lián)為因應(yīng)智能移動存儲市場進(jìn)入128GB、甚至是256GB的大容量等級需求，群聯(lián)27日正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制芯片將全系列支持美光64層3D NAND Flash，亦已準(zhǔn)備次世代96層技術(shù)研發(fā)，不但協(xié)助客戶在智能移動設(shè)備市場擴(kuò)大產(chǎn)品戰(zhàn)線，亦為客戶卡位車聯(lián)網(wǎng)商機(jī)作好準(zhǔn)備。
2018年全球移動通訊大會(MWC)登場，應(yīng)用于智能手機(jī)的AI運(yùn)算、AR虛擬應(yīng)用、身份識別、GIF貼圖、4K HDR影片錄制以及環(huán)繞音場等創(chuàng)新功能成為各大國際手機(jī)廠發(fā)表新機(jī)之亮點(diǎn)，為能滿足這些多媒體功能存儲需求，今年度的智能新機(jī)之內(nèi)嵌式存儲器容量全面躍升至128GB、甚至是256GB的儲存容量等級。
從各國際品牌手機(jī)廠2018年將推出的旗艦機(jī)種來看，非蘋陣營的國際智能新機(jī)之內(nèi)嵌式存儲器eMMC/eMCP的儲存容量規(guī)格提升至128GB，至于全球前兩大智能手機(jī)廠主攻的旗艦新機(jī)則不約而同皆搭載256GB的UFS內(nèi)嵌式存儲器，除了為2018年智能新機(jī)大容量存儲規(guī)格賽正式鳴槍開跑，亦同步宣告64層甚至更高層數(shù)的3D NAND Flash技術(shù)正式接棒成為快閃存儲器的主流制程。
群聯(lián)表示，從快閃存儲器技術(shù)演進(jìn)來看，當(dāng)容量需求快速增加，甚至是倍增之時，2D的平面生產(chǎn)技術(shù)已不能滿足終端應(yīng)用之需求。就2D的NAND Flash之限縮每個儲存單位、同時增加同一層存儲密度的微縮技術(shù)已逐漸接近物理極限，因此導(dǎo)致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水準(zhǔn)。至于3D 之NAND Flash技術(shù)，則透過垂直立體堆疊存儲單元的方式，突破容量上限的瓶頸，其最高容量將可倍增至256Gb(32GB)，并可提升讀寫信息的效能。
有鑒于市場應(yīng)用，再依據(jù)目前各大國際快閃存儲器制造大廠的3D NAND Flash制程演進(jìn)來看，群聯(lián)電子看好，64層的3D NAND Flash將為今年最大宗的主流技術(shù)，因此除了領(lǐng)先同業(yè)推出的可支援該制程技術(shù)的高速UFS控制芯片PS8313之外，包括既有熱賣的eMMC/eMCP PS8226等全系列控制芯片皆同步支持東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash，另方面，進(jìn)一步支持次世代的96層3D NAND Flash之先進(jìn)制程技術(shù)的控制芯片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且長期完整的產(chǎn)品規(guī)劃滿足移動移動設(shè)備、車聯(lián)網(wǎng)等客戶擴(kuò)大全球市場布局之需求。
出自：中時電子報(bào)
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