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快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案大廠群聯(lián)電子董事長潘健成19日表示，“NAND Flash控制芯片進(jìn)入非常昂貴的1x納米等級(jí)的晶圓制造階段、加計(jì)3D NAND驗(yàn)證成本高于2D，從相關(guān)控制芯片設(shè)計(jì)業(yè)者的角度來看，這產(chǎn)業(yè)已經(jīng)高高筑起了進(jìn)入障礙。

潘健成表示，NAND Flash正式進(jìn)入3D制程發(fā)展，其相關(guān)控制芯片之晶圓制造制程則在近兩年正式進(jìn)入1x納米時(shí)代，因此NAND Flash控制芯片的設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、所需要運(yùn)用的人力資源耗費(fèi)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于過去，以群聯(lián)所開發(fā)出來的SSD控制芯片PS5012-E12來看，該顆芯片在研發(fā)人力、時(shí)間、設(shè)計(jì)工具、晶圓先進(jìn)制程光罩費(fèi)、3D NAND驗(yàn)證費(fèi)…等等資源全數(shù)換算為可被評(píng)價(jià)的費(fèi)用，總計(jì)超過1.55億人民幣，相較18年前群聯(lián)初創(chuàng)業(yè)時(shí)的環(huán)境所需投入成本的多了好幾倍。

當(dāng)今快閃存儲(chǔ)器的現(xiàn)況，對(duì)控制芯片設(shè)計(jì)業(yè)者而言，除了上述的軍備戰(zhàn)的競爭形成技術(shù)進(jìn)入障礙，另一方面，NAND Flash制造之國際原廠相繼提高自給設(shè)計(jì)的控制芯片案量，因此整體市場獨(dú)立芯片廠的控制芯片的市場規(guī)模的成長幅度是低于儲(chǔ)存容量需求的成長率，所以，控制芯片取得的獲利也變薄、這對(duì)剛剛要跨入快閃存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)這一行業(yè)者而言，是進(jìn)入門檻被墊高，簡而言之，潘健成強(qiáng)調(diào)，今天若只賣IC，這生意不好做，要賺錢變得更困難。

對(duì)于群聯(lián)而言，有監(jiān)于5G、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)，以及人工智能等多項(xiàng)創(chuàng)新科技的信息儲(chǔ)存需求只增不減，人類使用存儲(chǔ)器容量的提升仍會(huì)為產(chǎn)業(yè)帶來商機(jī)，加計(jì)群聯(lián)過去以來的商業(yè)模式不是只賣IC，因此未來將擅用這多年來的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)值、逾1,700件的自有IP專利、逾千名的研發(fā)人員、專注經(jīng)營快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用所掌握的市場彈性、一年逾13億美元的營收，以及年平均出貨6億顆IC等規(guī)模經(jīng)濟(jì)之6大實(shí)力，并加以積極尋找長期合作的策略性伙伴，共同擴(kuò)大發(fā)展快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用市場之伙伴們擴(kuò)大市場及技術(shù)發(fā)展。