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IP開(kāi)發(fā)商円星科技(M31)宣布，將在臺(tái)積電28納米嵌入式閃存存儲(chǔ)器制程技術(shù)(TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開(kāi)發(fā)SRAM Compiler IP，此系列IP預(yù)計(jì)于今年第3季提供客戶(hù)設(shè)計(jì)整合使用。

円星董事長(zhǎng)林孝平表示，隨網(wǎng)絡(luò)傳輸頻寬不斷加大，數(shù)據(jù)運(yùn)算與儲(chǔ)存需求日增。円星在臺(tái)積電領(lǐng)先業(yè)界的28納米嵌入式閃存制程開(kāi)發(fā)的IP，除了可縮短設(shè)計(jì)周期，還能降低SoC功耗并提高效能，可廣泛應(yīng)用于高速的數(shù)據(jù)處理、電源管理，物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用電子，以及移動(dòng)通訊等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)上。

臺(tái)積電設(shè)計(jì)建構(gòu)行銷(xiāo)事業(yè)處資深處長(zhǎng)Suk Lee則說(shuō)，嵌入式閃存存儲(chǔ)器技術(shù)對(duì)于支持智能行動(dòng)，汽車(chē)電子和物聯(lián)網(wǎng)等廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。憑借M31與臺(tái)積電28納米嵌入式閃存制程技術(shù)努力合作開(kāi)發(fā)的IP，將有助于設(shè)計(jì)人員優(yōu)化SoC，實(shí)現(xiàn)速度，面積和功耗之間的成功平衡。

此次円星科技以臺(tái)積電28納米嵌入式閃存存儲(chǔ)器制程技術(shù)開(kāi)發(fā)的SRAM Compiler IP功能齊全，支援多種節(jié)能模式，使用者可依據(jù)不同操作狀態(tài)，切換到當(dāng)下最佳省電模式，來(lái)延長(zhǎng)行動(dòng)元件電池的使用時(shí)間，以提供客戶(hù)更多元的產(chǎn)品運(yùn)用。基于優(yōu)異的技術(shù)特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式閃存存儲(chǔ)器制程平臺(tái)上，預(yù)計(jì)今年第3季提供知名國(guó)際大廠(chǎng)采用。

去年円星也曾發(fā)布與臺(tái)積電合作布局22納米ULP/ULL技術(shù)的全系列IP。據(jù)當(dāng)時(shí)円星提供資料，臺(tái)積電22納米ULP/ULL技術(shù)為28納米技術(shù)優(yōu)化版本，具有低功耗/低漏電和高效能的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)保持高度的成本效益。

円星當(dāng)時(shí)提到，與28HPC+技術(shù)相比，臺(tái)積電22納米ULP/ULL技術(shù)可在相同的運(yùn)行速度下減少約5％至10％的芯片面積，降低功耗約25％，或在相同功耗下提高15％的效能。此制程技術(shù)下開(kāi)發(fā)產(chǎn)品應(yīng)用將涵蓋物聯(lián)網(wǎng)、GPS、RF、5G等等。