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近日的Intel亞太研發(fā)中心媒體會議上，Intel研究人員介紹的主要是數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的處理器、網(wǎng)卡、內(nèi)存等產(chǎn)品，與客戶端產(chǎn)品關(guān)系不大。不過在存儲產(chǎn)品中，Intel單獨介紹了他們在NAND閃存上的最新進展，這個系列以后就跟普通玩家有關(guān)了。

在存儲產(chǎn)品中，前面的文章中也提過Intel的理念了，那就是在HDD硬盤、3D NAND與DRAM內(nèi)存之間還有一個層級，這部分就是傲騰硬盤的，它的容量是DDR4內(nèi)存的10倍，，斷電也不丟失數(shù)據(jù)，雖然性能也只有1/10，但依然比NAND閃存SSD硬盤快了10倍。

在Intel的構(gòu)想中，未來的存儲系統(tǒng)的格局會有明顯的變化，HDD機械硬盤在熱數(shù)據(jù)上會被QLC閃存硬盤取代，淪落到如今磁帶那樣的地位，就是作為大容量數(shù)據(jù)備份之用。

從Intel的表態(tài)來看，如今TLC+HDD的格局中不僅HDD硬盤會消失，TLC閃存也會被取代，更別說MLC閃存了，簡單來說就是需要性能的地方上傲騰閃存或者傲騰+QLC，后者已經(jīng)有H10這樣的產(chǎn)品了，它就使用了大容量QLC閃存以及傲騰16/32GB的組合。

QLC閃存未來是要擔大任的，對于這一點Intel也直言不諱。至于大家擔心的QLC閃存壽命性能問題，Intel表示他們的技術(shù)已經(jīng)做到了讓QLC閃存的電壓控制跟TLC閃存一個級別，所以這些擔心不是問題。

此外，Intel還提到在NAND閃存上他們起步要落后于三星等公司，但在3D NAND閃存時代追上來了，一開始就是32層堆棧，QLC閃存直接上了64層堆棧，單核心容量就有1024Gb，2020年則會推出128層堆棧的QLC閃存——不過明年三星等公司也是打算推出128層堆棧的閃存的，現(xiàn)在就看誰第一個吃螃蟹了。

總之，在存儲這個市場上，不論數(shù)據(jù)中心還是客戶端產(chǎn)品，Intel都有兩種選擇，追求性能的就上傲騰硬盤，PCIe、M.2、U.2、AIC各種規(guī)格都有，追求大容量的話就上NAND閃存硬盤，SATA、M.2、AIC甚至最新的Ruler規(guī)格都可以，后者可以做到32TB。