SK海力士成功研發(fā)新存儲芯片處理速度提升50% |
出自:韓國中央日報中文網 |
SK海力士8月12日宣布,公司開發(fā)出了業(yè)界處理速度最快的新一代存儲芯片HBM新產品“HBM2E”(見照片)。HBM是高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory)的縮寫,數據處理速度比傳統(tǒng)的DRAM有了革命性提升。 SK海力士當日宣布開發(fā)成功的HBM2E數據處理速度比之前的規(guī)格(HBM2)快50%,每秒可處理460GB數據,相當于每秒可處理124部高清電影(3.7GB)。 HBM2E的超快數據處理速度可以廣泛應用到需要高性能數據處理的圖形處理(GPU) 機器學習 、超級計算機、人工智能(AI)等新技術領域。 不同于傳統(tǒng)DRAM,HBM是將半導體本身以數十微米(1微米等于一百萬分之一米)的間距貼附在邏輯芯片上,可以無需母版,縮短芯片之間的距離,從而提高數據處理速度。 SK海力士HBM事業(yè)戰(zhàn)略負責人全俊賢(音)表示,“將從HBM2E市場正式打開的2020年開始量產,強化在高端存儲芯片市場的領先優(yōu)勢”。
|
Copy right?2007:All Reserved. 西安集成電路設計專業(yè)孵化器有限公司
辦公地址:陜西省西安市高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)科技二路77號光電園二層北 辦公電話:029-88328230 傳真:029-88316024
陜ICP備 19002690號
陜公安網備 61019002000194號