天科合達第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目在北京市大興區(qū)順利開工! |
出自:天科合達 |
2020年8月17日,北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目開工儀式在北京市大興區(qū)黃村鎮(zhèn)大興新城東南工業(yè)區(qū)隆重舉行。 北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司總經(jīng)理楊建致歡迎辭,對關(guān)心支持項目的各級領(lǐng)導(dǎo)、各界朋友、協(xié)作單位表達衷心感謝,楊總表示,天科合達公司將不忘初心,牢記使命,積極進取,致力于打造全球第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底材料龍頭企業(yè),為我國第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供有力支撐。 中國科學(xué)院物理研究所黨委書記文亞在致辭中指出,目前第三代半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展的階段,近兩年國家對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度重視,天科合達公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)和全球主要碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)之一,此次基地建設(shè)項目在大興區(qū)黃村鎮(zhèn)順利開工建設(shè),對于促進我國碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)延伸,引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要的示范意義。 北京市經(jīng)信局電子信息產(chǎn)業(yè)處處長王德表示,化合物半導(dǎo)體材料是集成電路的基石,在現(xiàn)今最火熱的5G通訊、新能源汽車等市場中具有明確而可觀的前景,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)延伸是國民經(jīng)濟重要的發(fā)展方向,經(jīng)信局之后也將會在產(chǎn)業(yè)政策、項目資金等方面對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大力支持,優(yōu)化營商環(huán)境,同時祝愿天科合達越做越強,蓬勃發(fā)展。 北京新材料和新能源科技發(fā)展中心副主任蔡永香向基地建設(shè)開工表示熱烈祝賀,基地建設(shè)開工意味著天科合達將邁入一個新的里程碑,標志著北京市SiC襯底材料和器件的產(chǎn)業(yè)進程將進一步加速發(fā)展,北科委雙新中心也將會整合更多的資源和力量,持續(xù)不斷地推進北京市第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 北京市大興區(qū)黃村鎮(zhèn)鎮(zhèn)長唐勝明介紹了黃村鎮(zhèn)營造良好營商環(huán)境的相關(guān)舉措,希望為入駐企業(yè)做好服務(wù),提供平臺,實現(xiàn)互利共贏,并祝愿天科合達第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目建設(shè)順利。 第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目是天科合達自籌資金建設(shè)的用于碳化硅晶體襯底研發(fā)及生產(chǎn)的項目,總投資約9.5億元人民幣,總建筑面積5.5萬平方米,新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設(shè)備的碳化硅襯底生產(chǎn)線,項目計劃于2022年年初完工投產(chǎn),建成后可年產(chǎn)碳化硅襯底12萬片。 北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目在大興區(qū)黃村鎮(zhèn)開工建設(shè),標志著我國半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的進程又翻開了嶄新的一頁,必將對我國第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生重大而深遠的影響。 |
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