西安三星高端存儲(chǔ)芯片二期第二階段項(xiàng)目明年年中建成投產(chǎn)
據(jù)陜西日?qǐng)?bào)全媒體消息，目前，總投資80億美元的三星高端存儲(chǔ)芯片二期第二階段項(xiàng)目正在穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計(jì)2021年年中建成投產(chǎn)。
據(jù)報(bào)道，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基說，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品為3D V-Nand 閃存芯片。三星項(xiàng)目的啟動(dòng)，帶動(dòng)100多個(gè)相關(guān)配套企業(yè)進(jìn)駐西安高新區(qū)，西安高新區(qū)形成了規(guī)模過千億元的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，并將進(jìn)一步躍升為世界具有競(jìng)爭(zhēng)力的電子信息產(chǎn)業(yè)基地。
三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司成立于2012年，公司位于西安高新綜合保稅區(qū)。落地西安以后，三星電子先期投資105億美元建成三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司高端閃存芯片項(xiàng)目一期及封裝測(cè)試中心。項(xiàng)目一期于2014年5月竣工投產(chǎn)，截至目前運(yùn)行順利。
2017年8月30日，三星電子株式會(huì)社與陜西省政府簽署了投資合作協(xié)議，決定在西安高新綜合保稅區(qū)內(nèi)建設(shè)三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目。
三星高端存儲(chǔ)芯片二期第一階段項(xiàng)目投資約70億美元，今年3月10日舉行二期第一階段項(xiàng)目產(chǎn)品下線上市儀式。二期第二階段項(xiàng)目投資80億美元，于2019年12月10日正式啟動(dòng)。
來源: 愛集微
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