5月3日，韓國政府產業(yè)通商資源部和國防部確定了為培育國防產業(yè)原材料、零部件、裝備企業(yè)而進行的“X-band 氮化鎵（GaN）半導體集成電路”國產化課題。韓國無線通信設備半導體企業(yè)RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業(yè)。
X-band “氮化鎵”半導體超高頻率集成電路(MMIC)是安裝在韓國戰(zhàn)斗機(KF-X)上的雷達核心配件。
此次課題由RFHIC（艾爾福）牽頭負責執(zhí)行。SK Siltron將參與碳化硅基板、氮化鎵樹脂(EPI)的制作，LIG nex1負責系統(tǒng)的驗證。韓國電子通信研究院(ETRI)的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。
除X-band外，課題還將擴大到Ku-band、Ka-band等,該技術也適用于擴展到28千兆(GHz)的5G通信設備及衛(wèi)星通信。
早前的4月1日，韓國政府曾召開會議，發(fā)表了“下一代功率半導體技術開發(fā)及產能擴充方案”。其宣布將正式培育下一代功率半導體技術，到2025年開發(fā)5種以上的商業(yè)化產品，并在國內建設6~8英寸代工廠。
目前為止，從SiC到系統(tǒng)構筑氮化鎵供應鏈的國家只有美國和中國，其中成功實現商品化的國家只有美國。
