宣稱一期投資60億元的英諾賽科蘇州項目 ，6月5日（芒種時節(jié)）開啟大規(guī)模量產(chǎn)。官說這個占地213畝項目全部達(dá)產(chǎn)后，將實現(xiàn)年產(chǎn)能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓，而2021年的小目標(biāo)是實現(xiàn)產(chǎn)能爬坡達(dá)到6000片/月。為此，蘇州廠現(xiàn)有400來人至年底有望增加到600多人。
上海市政府副秘書長、市發(fā)改委主任、長三角一體化示范區(qū)執(zhí)委會主任華源，長三角一體化示范區(qū)執(zhí)委會副主任、江蘇省發(fā)展改革委員會副主任唐曉東，蘇州市人大常委會副主任沈國芳，吳江區(qū)委書記李銘等領(lǐng)導(dǎo)及大基金總裁丁文武，在英諾賽科董事長駱薇薇、總經(jīng)理孫在亨陪同下開啟生產(chǎn)線
英諾賽科蘇州項目，2018年6月奠基，2019年8月主廠房封頂，同年9月開始設(shè)備搬入，然后2021年6月5日規(guī)模量產(chǎn)。英諾賽科董事長駱薇薇有NASA多年工作經(jīng)歷，韓國人孫在亨出任總經(jīng)理操盤，公司經(jīng)營的slogan: GaN, yes we can.
英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。英諾賽科采用IDM模式，集研發(fā)、設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體，成功打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺。2017年11月在珠海率先建成全球首條8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線，產(chǎn)品涵蓋30-900V功率半導(dǎo)體器件，IC及射頻器件。
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足需求，而制備技術(shù)進(jìn)步使器件成本不斷下降，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，即所謂的第三代半導(dǎo)體技術(shù)優(yōu)勢得以體現(xiàn)。據(jù)AIXTRON中國區(qū)總裁宋偉介紹，今年公司已出貨20臺MOCVD，其中tsmc就訂了8臺，可見業(yè)界對GaN的熱度之高。
GaN具備導(dǎo)通電阻小、損耗低以及能源轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，由GaN制成的充電器還可以做到較小的體積。據(jù)介紹，英諾賽科氮化鎵功率器件，使充電器在集成AC-DC、無線充電發(fā)射以及復(fù)雜的邏輯控制電路的情況下，可將充電效率提升60%。所以，快充應(yīng)用是英諾賽科在GaN市場的橋頭堡。
其30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產(chǎn)品陸續(xù)量產(chǎn)，號稱是世界上唯一能夠同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)，成為中國目前唯一一家提供氮化鎵快充芯片的企業(yè)，公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產(chǎn)品在2020年4季度出貨已達(dá)數(shù)百萬顆。據(jù)悉，其低壓GaN產(chǎn)品已擠掉美國EPC公司成為國內(nèi)一家激光雷達(dá)企業(yè)供應(yīng)商，實現(xiàn)了國產(chǎn)替代。
由于更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強(qiáng)的電壓與更快的開關(guān)頻率下運(yùn)行。英諾賽科還成功開發(fā)出應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產(chǎn)品，可取代原有硅器件，大幅度提升系統(tǒng)效率，降低能耗及運(yùn)營成本。今年公司拿到了IATF16949認(rèn)證，獲得進(jìn)入汽車市場的通行證。
英諾賽科結(jié)合德國愛思強(qiáng)MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圓制造線，解決了化合物半導(dǎo)體晶圓制造良率低、產(chǎn)能小、工藝不穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)瓶頸，成功實現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵器件的大規(guī)模量產(chǎn)，申請國內(nèi)外核心專利超過250項?；诖耍瑩?jù)悉英諾賽科已與國內(nèi)知名5G射頻基站供應(yīng)商進(jìn)行戰(zhàn)略合作，開發(fā)應(yīng)用于5G 基站的硅基氮化鎵射頻芯片，計劃2021 年開始小批量生產(chǎn)，逐步實現(xiàn)5G 應(yīng)用領(lǐng)域射頻器件國產(chǎn)化。
英諾賽科著力打造從器件設(shè)計、驅(qū)動IC設(shè)計開發(fā)、材料制造、器件制備、后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶半導(dǎo)體器件制造平臺，力爭成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、封裝測試于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。英諾賽科被國家四部委(發(fā)改委、工信部、財政部、海關(guān)總署)列入重點(diǎn)支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，是國內(nèi)第一個通過國家發(fā)改委窗口指導(dǎo)的第三代半導(dǎo)體項目；同時，作為蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)，英諾賽科承擔(dān)了多個國家部委及省相關(guān)部門的重點(diǎn)研發(fā)項目。研發(fā)樓建筑面積3.5萬平方米，集辦公、研發(fā)、餐廳三大功能。
英諾賽科計劃蘇州（全球8英寸最大產(chǎn)能）加珠海廠（全球首條8英寸）到今年年底要達(dá)到12000片/月的產(chǎn)能，員工人數(shù)達(dá)到1500人規(guī)模，專利數(shù)要累計到700以上。目前，在快充市場公司有60多家客戶，發(fā)貨量上千萬級規(guī)模；激光雷達(dá)客戶5家以上，有百萬級發(fā)貨量；數(shù)據(jù)中心客戶有5家，手機(jī)應(yīng)用已有2家Tie 1客戶，憑借產(chǎn)品加技術(shù)著力在消費(fèi)、工業(yè)及汽車市場推進(jìn)生態(tài)戰(zhàn)略。
應(yīng)對產(chǎn)能需求快速增長的預(yù)期，英諾賽科與中國銀行就英諾賽科（蘇州）“8英寸硅基氮化鎵芯片生產(chǎn)線一期第一階段產(chǎn)能擴(kuò)展建設(shè)項目”現(xiàn)場簽約。
面對傳統(tǒng)半導(dǎo)體市場中國競爭力的弱小，在以GaAs為代表的第2代半導(dǎo)體的跟隨處境，丁文武稱，英諾賽科是我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的里程碑，使中國進(jìn)入第3代半導(dǎo)體先進(jìn)行列。除ASML、AIXTRON、TEL和韓國SK集團(tuán)等國際大廠外，現(xiàn)場也看到中國本土設(shè)備材料龍頭供應(yīng)商北方華創(chuàng)、華海清科、精測和上海新陽、華特氣體、晶瑞以及華天等身影。
