據(jù)韓國(guó)中央日?qǐng)?bào)日語(yǔ)版 7/13（周二）報(bào)道，“SK海力士”開始利用極紫外（EUV）光刻機(jī)生產(chǎn)第4代DRAM。繼“內(nèi)存三巨頭”排名第三的“鎂光”之后，“SK海力士”成了第二家量產(chǎn)第4代DRAM的廠家。
“三星電子”也公布了在年內(nèi)量產(chǎn)第四代DRAM的計(jì)劃。排名第2，3位的廠家比老大先在下一代DRAM量產(chǎn)上領(lǐng)先，之后“內(nèi)存三巨頭”的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)更加激烈。
“SK海力士”于本月12日宣布，應(yīng)用10納米工藝的第4代8GB LPDDR4移動(dòng)用DRAM量產(chǎn)已經(jīng)于本月初開始。LPDDR4是主要用于智能手機(jī)的低功率DRAM芯片。該公司的相關(guān)人員表示，“SK海力士首次通過(guò)EUV工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)DRAM量產(chǎn)，這是非常有意義的一件事情”。
根據(jù)“SK海力士”的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%。成本競(jìng)爭(zhēng)力很高?！癝K海力士”繼這次LPDDR4產(chǎn)品之后，計(jì)劃從明年年初開始將該技術(shù)應(yīng)用于去年10月在世界上首次發(fā)售的下一代DRAM DDR5上面。
10納米級(jí)DRAM是今年1月，由“鎂光”首次出貨的，這給市場(chǎng)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。不過(guò)，“鎂光”將使用現(xiàn)有的氟化氬（ArF）工藝而不是EUV來(lái)生產(chǎn)該產(chǎn)品。與EUV工藝相比，現(xiàn)有的Arf工藝對(duì)于器件的高效率、以及超小型化會(huì)產(chǎn)生不利的影響。
被第2,3位的廠家趕超，明顯傷害了老大“三星電子”的自尊心?！叭请娮印痹诮衲?月末發(fā)表業(yè)績(jī)時(shí)明確表示：“今年內(nèi)將使用EUV工藝來(lái)量產(chǎn)第4代DRAM產(chǎn)品”。
“三星電子”相關(guān)人士表示，“三星電子已經(jīng)在去年3月首次在業(yè)界使用EUV工藝生產(chǎn)了第一代10納米級(jí)DDR。今年內(nèi)，將生產(chǎn)第4代10納米級(jí)DRAM?！?/p>
據(jù)業(yè)界相關(guān)人士的話，“早前，當(dāng)“鎂光”發(fā)表第四代DRAM的量產(chǎn)消息時(shí)，曾有過(guò)以為是假新聞的討論，但后來(lái)，實(shí)際的量產(chǎn)確實(shí)已經(jīng)得到確認(rèn)。這就意味著在內(nèi)存廠商之間，納米工藝和量產(chǎn)的技術(shù)差距正在被縮小”。
