近期，西安紫光國(guó)芯總裁任奇?zhèn)ナ苎麉⒓印?021 IEEE 13th International Memory Workshop（IMW 2021，國(guó)際存儲(chǔ)器研討會(huì)） ”的線上會(huì)議，并作題為《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的專題報(bào)告分享。
通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)的市場(chǎng)需求以及未來(lái)發(fā)展的深入剖析，任總闡釋了當(dāng)前熱門的3D集成技術(shù)在嵌入式存儲(chǔ)器領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，并向與會(huì)嘉賓重點(diǎn)介紹了公司最新研發(fā)世界領(lǐng)先的超大帶寬、超低功耗內(nèi)嵌存儲(chǔ)器解決方案——異質(zhì)嵌入式DRAM（SeDRAM）。
相比傳統(tǒng)的嵌入式SRAM和DRAM存儲(chǔ)器(eSRAM和eDRAM)，SeDRAM采用納米級(jí)互連技術(shù)將DRAM晶圓和不同工藝晶圓在垂直方向上互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器的直接訪問(wèn)；通過(guò)定制的DRAM設(shè)計(jì)支持多種容量（64MB、128MB、256MB到8GB）和多種帶寬；同時(shí)為不同的工藝提供標(biāo)準(zhǔn)化接口和測(cè)試IP，使SoC能夠方便簡(jiǎn)單地集成。
SeDRAM技術(shù)與傳統(tǒng)集成技術(shù)優(yōu)勢(shì)對(duì)比
SeDRAM可實(shí)現(xiàn)超大帶寬、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM，在超算、大數(shù)據(jù)分析、人工智能、智能物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。同時(shí)，基于SeDRAM技術(shù)西安紫光國(guó)芯已成功開發(fā)多款產(chǎn)品，并成功實(shí)現(xiàn)世界首款大規(guī)模量產(chǎn)芯片。
相關(guān)技術(shù)論文已在2020 IEDM（IEEE InternationalElectron Device Meeting）和2021 CICC（IEEE CustomIntegrated Circuits Conference）上公開發(fā)表。
