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| 英特爾大連工廠轉型，投55億美金生產3D-NAND | ||
| 半導體產業(yè)龍頭英特爾21日宣布與大連政府配合，將原先以65納米工藝生產處理器芯片的中國大連廠，轉型為生產最新的3D-NANDFlash芯片，總投資金額高達55億美元，預計于明年下半年開始量產。根據(jù)TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange最最新公布的數(shù)據(jù)顯示，2015年整體中國市場NANDFlash總消耗量換算成產值高達66.7億美元，占全球產值29.1%，明年更可望達到全球NANDFlash產量的三分之一，成長幅度十分驚人。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，英特爾大連廠在2010年完工，原先規(guī)劃以12寸晶圓搭配65納米工藝來生產中央處理器，但經營績效不如預期。此次轉型生產最先進的3D-NANDFlash，除了可以提升大連廠的生產績效外，也可望搭上中國內存消耗量起飛的快速成長期，更重要的是能夠配合中國政府積極投入內存產業(yè)的大趨勢，可謂是雙贏的布局。 根據(jù)英特爾投資金額與大連廠的產能建設來評估，DRAMeXchange初步預估每個月至少可布建30000-40000片的3D-NANDFlash。英特爾在與美光共同開發(fā)3D-NANDFlash以及3DXPoint等戰(zhàn)略合作關系更加緊密的情況下，新增的大連廠3D-NANDFlash產能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產能規(guī)劃，來滿足高成長的固態(tài)硬盤需求。 楊文得進一步表示，NANDFlash市場在今年第四季到明年第一季供過于求的格局將不會產生變化，但在NANDFlash產業(yè)低迷時刻，中國政府仍積極加速推動中國本土NANDFlash與SSD供應鏈的布局（中國模組大廠江波龍與主控芯片廠Marvell戰(zhàn)略合作、武漢新芯持續(xù)加速3D-NANDFlash的開發(fā)等），并加強通過與國際NANDFlash大廠串聯(lián)合作的契機（三星西安廠3D-NANDFlash產能明年可望提升每個月10萬片的水平），預期英特爾大連廠明年下半年完工后，中國NANDFlash市場將更為百花齊放。 來源:電子商情 |
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