7月2日，江蘇捷捷微電子股份有限公司召開第四屆董事會第十次會議，審議通過了《關(guān)于對外投資的議案》，同意公司在全資子公司捷捷半導(dǎo)體有限公司建設(shè)“功率半導(dǎo)體 6 英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目”，總投資 5.1 億元人民幣。
該項目擬總投資 5.1 億元人民幣（分二期），其中，固定資產(chǎn)投入不低于總投資的 80%，設(shè)備投入不低于固定資產(chǎn)投資的 50%（包括凈化成套裝置）。
據(jù)介紹，上述項目計劃采用深 Trench 刻蝕及填充工藝、高壓等平面終端工藝。主要產(chǎn)品為快恢復(fù)二極管芯片及器件，IGBT 模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片及器件，中高電壓功率集成芯片，平面可控硅芯片及其他芯片產(chǎn)品等。
