據(jù)浦東時(shí)報(bào)報(bào)道，上海市公示了“瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的環(huán)評(píng)公示”。根據(jù)公示內(nèi)容顯示，上海瀚鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“上海瀚鎵”）將在上海市浦東新區(qū)建設(shè)“4英寸GaN高質(zhì)量自支撐晶圓的研發(fā)及中試”產(chǎn)線。
資料顯示，上海瀚鎵成立于2020年8月，注冊(cè)資金500萬(wàn)元，法人代表何哲強(qiáng)。公司位于中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)，由上海集成電路材料研究院支撐孵化。主要專注于GaN晶體材料制造技術(shù)及相關(guān)設(shè)備、應(yīng)用技術(shù)的開(kāi)發(fā)，進(jìn)行GaN自支撐晶圓制造關(guān)鍵技術(shù)中試研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
據(jù)介紹，上海瀚鎵的技術(shù)核心團(tuán)隊(duì)成員來(lái)自中國(guó)科學(xué)院、加州勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、加州大學(xué)伯克利分校等知名機(jī)構(gòu)和院校，具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心專利技術(shù)。
根據(jù)上海市經(jīng)濟(jì)和信息化委員會(huì)6月30日發(fā)布的公告顯示，上海瀚鎵還入選了《臨港新片區(qū)2021年第二批重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅優(yōu)惠資格擬認(rèn)定企業(yè)名單》。
