成年视频国产一区_日韩人妻αv无码_免费人成黄页网站在线播放国产_2024国产高清日本一道_五月天婷婷缴情五月免费观看_一级avdvd黄片免费_少妇被粗大的猛烈进出动视频_91视频色版下载_黑人大战欲求不满人妻_一道本av不卡在线天堂8

當前，國內(nèi)外都在部署寬禁帶半導體（又稱第三代半導體）器件和材料產(chǎn)業(yè)。寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)究竟為何贏得了市場青睞？在應用過程中又具有怎樣的特點、難點、痛點？相關產(chǎn)業(yè)未來又該向什么方向發(fā)展？記者采訪了中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍。圍繞寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)當前存在的問題、產(chǎn)業(yè)發(fā)展難點和未來發(fā)展方向，郝躍分享了他的觀點。

記 者：首先想請您對寬禁帶半導體做個簡單的介紹，這類半導體具有哪些特點，在產(chǎn)業(yè)上有怎樣的應用呢？

郝 躍：寬禁帶半導體最明顯的特征，便是它的半導體禁帶寬度寬，從材料的性質方面更接近于絕緣體。因此，以氮化鎵和碳化硅為代表的這類寬禁帶半導體材料，擁有高的擊穿電場強度、高的工作溫度、低的器件導通電阻、高的電子密度等優(yōu)勢，目前寬禁帶半導體主要在三個領域有強大的市場的競爭力。

第一是射頻器件，即微波毫米波器件。相比于砷化鎵和硅等半導體材料，在微波毫米波段的寬禁帶半導體器件工作效率和輸出功率明顯高，適合做射頻功率器件。民用射頻器件主要用在移動通信方面，包括現(xiàn)在的4G、5G和未來的6G通信。例如，國內(nèi)新裝的4G和5G移動通信的基站幾乎全用氮化鎵器件。尤其是5G基站采用MIMO收發(fā)體制，每個基站64路收發(fā)，耗電量是4G基站的3倍以上，而且基站的密集度還要高于4G基站，不用高效率的氮化鎵器件幾乎是不可能的。未來6G通信頻率更高、基站數(shù)更多，矛盾將更加突出。

第二是大功率電力電子器件?？斐溲b置、輸變電系統(tǒng)、軌道交通、電動汽車和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件。無疑寬禁帶半導體，尤其是碳化硅、氮化鎵具有比其他半導體材料更為明顯的優(yōu)勢。

第三是光電器件。寬禁帶半導體尤其在短波長光電器件方面有很明顯的優(yōu)勢。例如藍光，現(xiàn)在所有的半導體照明已經(jīng)采用了氮化鎵。在紫光、紫外光甚至在黃光、綠光等方面都可以直接用氮化物半導體作為材料。

當然，還有其他應用領域，例如探測器、傳感器等方面，應用十分廣闊。

記 者：從數(shù)據(jù)來看，自2017年至今，寬禁帶半導體器件的市場規(guī)模呈現(xiàn)出非常明顯的上升趨勢。在您看來，寬禁帶半導體是否有希望成為后摩爾時代的顛覆性技術，又會在多大程度上替代硅材料呢？

郝 躍：后摩爾時代是指硅集成電路芯片在集成度、功耗等方面面臨較大的挑戰(zhàn)，使摩爾定理按芯片集成度每18個月翻一翻的規(guī)律有所變慢，于是尋求新的解決方案，其中包括了硅的三維集成電路和系統(tǒng)芯片等新的方案。系統(tǒng)芯片也叫做More than Moore，即超越摩爾定律，指的是將硅的集成電路不斷地拓展到與其他材料或應用領域融合，不斷開辟新的應用市場。 

我認為硅集成電路跟其他類型的半導體，例如化合物半導體與硅器件高度結合，在硅襯底上生長化合物，這是后摩爾時代的一個非常有意義、非常有發(fā)展?jié)摿Φ念I域。也是未來寬禁帶半導體器件和集成電路發(fā)展的重要方向。

但是，寬禁帶半導體材料要替代硅是不可能的。集成電路當前90%以上使用的依然是硅基半導體，還有太陽能電池等，主要用的都是硅材料。寬禁帶半導體器件和集成電路只在全球的半導體市場中占很小的份額，主要用在大功率射頻器件、電力電子器件和短波長光電器件中。硅現(xiàn)在還是半導體材料的主流。因為硅材料很難發(fā)光，也很難在高頻下提高輸出功率，寬禁帶半導體才有了獨立的發(fā)展空間和巨大的應用市場。

記 者：我國寬禁帶半導體材料和器件在向產(chǎn)業(yè)推廣的過程中還存在哪些難點，出現(xiàn)這些難點的原因是什么，該如何解決？

郝 躍：當前，我國半導體產(chǎn)業(yè)面臨“卡脖子”問題，主要卡在關鍵設備和材料方面。但在寬禁帶半導體設備方面，目前大多數(shù)領域我們都實現(xiàn)了本土化，從材料生長、器件和電路工藝到測試封裝設備，國內(nèi)基本能夠滿足需求。唯獨光刻機仍然沒有解決。其實，像氮化鎵等寬禁帶半導體所需要的光刻機工藝制程并不需要十分先進，光刻精度90納米就夠了。在國家相關政策的支持下，這個技術我們是可以實現(xiàn)的。當前已經(jīng)研制成功的光刻機，應當盡快實現(xiàn)穩(wěn)定的量產(chǎn)，這方面我們還需努力。我們能做到做好的能夠變成產(chǎn)業(yè)化的東西，一定要把它做到能用。

記 者：有的廠商表示當前在很多尖端領域，國內(nèi)的半導體器件生產(chǎn)還不能滿足要求（例如器件效率問題），原因何在？如何解決這些問題？

郝 躍：高熱導率、損耗低，這是寬禁帶半導體固有的優(yōu)勢，問題是我們在產(chǎn)品開發(fā)過程中沒能充分發(fā)揮這些優(yōu)勢。例如氮化鎵在4GHz頻率100W輸出功率，器件效率可以達到70%以上。而對其他材料來講，能達到50%就不錯了，高效率是材料性質決定的。無論是氮化鎵還是碳化硅，寬禁帶半導體的效率都是很高的。但是，在后續(xù)器件應用過程中，是否能保證每一步都保持材料的低損耗是十分重要的問題。

舉例來說，在碳化硅器件制作完成后的封裝環(huán)節(jié)，目前我們的器件封裝基本沒能按照器件的特點和應有方式來做，仍采用了硅的大功率器件方式封裝，這樣一來就加大了寬禁帶半導體的損耗，高效率、低損耗被這么封裝，效果基本沒有了。這只是一個例子，我認為，還有很多技術推廣應用方面的工作可以開展。

記 者：如果寬禁帶半導體技術進一步普及，能夠滿足對電子器件高性能、耐高溫、長使用壽命的高端要求嗎？

郝 躍：我認為這完全能夠解決。因為在寬禁帶半導體方面，我們國家器件的研制技術和指標是與國際基本同步的，甚至有些指標是領先的。問題在于，這些技術如何從研發(fā)環(huán)節(jié)快速轉換到生產(chǎn)環(huán)節(jié)。目前，國內(nèi)諸多的生產(chǎn)廠家自身是沒有研發(fā)能力的，基本是拿來主義。例如，我們西安電子科技大學的寬禁帶半導體國家工程研究中心，研發(fā)了不少高指標的材料和器件技術。推廣出去之后，開始廠家們能把器件做出來，但若要在這個基礎上做進一步的創(chuàng)新，就有困難了。我們國家提出企業(yè)是創(chuàng)新的主體，企業(yè)如果只是拿來卻不創(chuàng)新，再好的技術也不能持續(xù)轉換成生產(chǎn)力。目前，很多企業(yè)在研發(fā)方面的投入十分有限，主要的研發(fā)投入還是依靠國家。

對比看國際領先的半導體企業(yè)，英特爾一年的研發(fā)費用大概在100億美元以上。我國的企業(yè)要提高創(chuàng)新能力，也要在如何加大研發(fā)資金投入上想辦法。

記 者：據(jù)了解，學校和研究所主要是以論文發(fā)表為評判指標的，這種評判體系可能會使高校與產(chǎn)業(yè)之間的合作很難密切。在校企聯(lián)合中，校方和企業(yè)應該分別扮演怎樣的角色呢？

郝 躍：高等學校和國立研究所的研究肯定是要瞄準世界科技前沿的，這個毫無疑問。高校和研究所的任務之一，還是探索規(guī)律性的東西，不斷追求新的東西。不光中國高校如此，全世界高校都是如此。所以重視發(fā)表論文，尤其是在學術會議和學術刊物上發(fā)表論文，我認為這是對的。廣大科技工作者要堅持面向世界科技前沿，科學家的使命就是要追求更高的目標。

高校的科研成果是不是應該迅速地轉換成現(xiàn)實生產(chǎn)力？我認為當然是這樣的。但是如何保證高校的研究成果能夠轉換成現(xiàn)實的生產(chǎn)力？現(xiàn)在的一個趨勢是，教授們直接去辦公司，我覺得這也值得商榷。要求一個教授既能夠面向科技前沿，又能夠面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場，這是很困難的。

那么如何解決好這組矛盾？我認為，依靠產(chǎn)學研結合提升企業(yè)自身的研發(fā)能力是解決問題的關鍵。所以，如何實現(xiàn)把企業(yè)作為創(chuàng)新的主體，這是應該共同好好發(fā)力的事情。

記 者：一些國際大企業(yè)，如科銳、英飛凌等，他們的技術基本上覆蓋了整個產(chǎn)業(yè)鏈，從襯底、器件到應用做到了全覆蓋。國內(nèi)企業(yè)若是去和這類企業(yè)競爭，想要在高端領域形成競爭力，應如何去做？

郝 躍：科銳公司一開始就是專門做碳化硅半導體材料的公司，完完全全做材料。材料慢慢做大了以后，它才開始做器件，做垂直型的大功率藍光LED，然后開始做電子器件。英飛凌是一直做器件的，不做材料。他們都是在各自擅長的領域做到世界老大后，才逐步開始往產(chǎn)業(yè)鏈上下游發(fā)展的。

所以對于我們企業(yè)而言，我的建議是先把我們能做的東西做好，做到極致，做到無可挑剔。一個企業(yè)不要一開始就考慮產(chǎn)業(yè)鏈的問題，選擇一個領域，扎扎實實地把它做到極致，然后再去考慮往上游和下游拓展。一開始從材料到器件都能做到一流，那是不可能的。所以企業(yè)定位是什么，應該要先搞清楚。 

記 者：氮化鎵、碳化硅已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)，在寬禁帶半導體領域，有哪些是面向未來的材料？

郝 躍：我認為最有可能的是氧化鎵材料，它的禁帶寬度比氮化鎵和碳化硅更寬，達到了4.6~4.8電子伏特。我們目前的研究表明，這類材料是有希望的。

在未來10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭，這就如同今天碳化硅和硅的大功率器件情形一樣。

氧化鎵目前還不行，這要看后續(xù)的研究進展。另外，金剛石材料的禁帶寬度是5.4電子伏特，對這種材料和器件，國內(nèi)的研究基礎是很好的，但這種材料還存在很多技術難點，產(chǎn)業(yè)化難度比較大，這要看未來10年在技術上會有什么樣的突破。可以說，我們一直在不懈努力。