全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，基于Deep-Trench Super Junction（“DT-SJ”）（深溝槽超級結(jié)）MOSFET技術(shù)領(lǐng)域超過十年的持續(xù)研發(fā)投入和深厚技術(shù)積累，并受益于消費(fèi)電子、通訊、新能源基礎(chǔ)設(shè)施及電動汽車市場等領(lǐng)域長期穩(wěn)定的增長，公司DT-SJ工藝平臺累計出貨量已突破100萬片晶圓！
華虹半導(dǎo)體多年來持續(xù)深耕功率半導(dǎo)體市場, 擁有近20年的功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。2010年公司突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的、獨(dú)特且富有競爭力的DT-SJ工藝平臺。在技術(shù)上不斷更新迭代，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展浪潮，華虹半導(dǎo)體已成為全球功率器件晶圓制造領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者，并且是全球首家同時在8英寸和12英寸生產(chǎn)線量產(chǎn)功率MOSFET、超級結(jié)MOSFET、場截止型(FS) IGBT等分立器件的純晶圓代工企業(yè)。
智能化時代，作為開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動、LED驅(qū)動、電動汽車和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件，功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電動汽車、LED照明、云計算以及綠色能源輸變電等眾多應(yīng)用領(lǐng)域。隨著汽車電動化進(jìn)程的加速，超級結(jié)SJ、IGBT等高端功率器件市場增長預(yù)期更為強(qiáng)勁。華虹半導(dǎo)體的DT-SJ工藝，采用了獨(dú)特的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)，功率密度、導(dǎo)通電阻等均達(dá)到國際領(lǐng)先水平；相應(yīng)電壓范圍可以涵蓋150~900V，電流范圍涵蓋1~100A，高度契合當(dāng)前熱門的大功率快充電源、LED照明電源及電動汽車充電樁等應(yīng)用需求，具有非常強(qiáng)的競爭力，市場前景以及增長速度極為可觀。
華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁周衛(wèi)平表示，DT-SJ工藝平臺累計出貨量突破100萬片晶圓，標(biāo)志著公司功率半導(dǎo)體做大做強(qiáng)發(fā)展達(dá)到的新里程碑。華虹半導(dǎo)體將以“8英寸 + 12英寸”、先進(jìn)“特色I(xiàn)C + 高性能Power Discrete”雙核引擎戰(zhàn)略為指引，繼續(xù)做精做深，推動功率半導(dǎo)體向更高功率密度和更低損耗方向發(fā)展，并發(fā)揮12英寸更小線寬、更佳片內(nèi)均勻性等特性，加速進(jìn)軍高端功率器件市場，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的特色工藝晶圓代工服務(wù)和綠色“芯”制造解決方案。
