捷捷微電：目前有少量碳化硅器件的封測 該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中
捷捷微電3月10日在投資者互動平臺表示，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至2022年2月底，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實用新型專利5件，此外，公司還有6個發(fā)明專利尚在申請受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進過程中，尚未進入量產(chǎn)階段，后續(xù)進展情況請關(guān)注公司公告。
關(guān)于公司的利潤增長點和汽車電子芯片銷售占比，捷捷微電表示，公司南通“高端功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化項目”配套無錫和上海MOSFET團隊，計劃2022年二季度末或第三季度開始試生產(chǎn)，該項目將有助于推動高端功率半導(dǎo)體發(fā)展，滿足下游市場需求，擴大市場占有率，緩解MOSFET產(chǎn)能緊張的問題。
關(guān)于公司的經(jīng)營模式，捷捷微電指出，目前，公司的晶閘管系列產(chǎn)品、二極管及防護系列等產(chǎn)品采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營模式，即集功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計、制造、器件設(shè)計、封裝、測試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體；公司的MOSFET系列產(chǎn)品采用Fabless+封測的業(yè)務(wù)模式。公司MOSFET芯片是由無錫和上海團隊設(shè)計，委外流片，其中芯片（8英寸為主，6英寸及12英寸用量不是太多）全部委外流片，封測方面目前委外代工為主、自封為輔。
來源:愛集微
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