安森美碳化硅工廠建成，晶圓產(chǎn)能增五倍
近日，安森美位于美國(guó)新罕布什爾州的碳化硅(SiC)工廠落成。據(jù)了解，該基地將使安森美到2022年年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍。此外，此次擴(kuò)張建廠能夠使得安森美掌握更完整的SiC制造供應(yīng)鏈，使其具備SiC粉末和石墨原料的采購(gòu)，以及將封裝好的SiC器件進(jìn)行交付的能力。
安森美表示，公司未來(lái)三年將實(shí)現(xiàn)40億美元的SiC收入，2022年的SiC的收入將比去年增加兩倍，并在2023年實(shí)現(xiàn)超過(guò)10億美元的收入。
近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體中的碳化硅技術(shù)變得愈發(fā)成熟，其應(yīng)用領(lǐng)域也越來(lái)越廣泛，其中在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的增長(zhǎng)迅速，使得以Wolfspeed、安森美等為首的半導(dǎo)體大廠也開(kāi)始不斷加大SiC領(lǐng)域的布局。據(jù)了解，與傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體相比，碳化硅具備耐高溫、耐高頻和耐高壓等特性，而傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體器件，容易受到場(chǎng)強(qiáng)、禁帶、能隙、熱導(dǎo)率等限制，這也使得SiC功率器件在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域廣受關(guān)注。在特斯拉率先在Model3牽引逆變器中采用SiC組件之后，SiCMOSFET開(kāi)始逐漸取代電動(dòng)汽車(chē)功率模塊中成熟的硅IGBT，也使得硅與碳化硅應(yīng)用之間的鴻溝開(kāi)始逐漸縮小。
據(jù)了解，采用碳化硅芯片的電動(dòng)車(chē)，能夠使電驅(qū)裝置的體積縮小為五分之一，電動(dòng)汽車(chē)行駛損耗降低60%以上，相同電池容量下里程數(shù)顯著提高。
安森美在此次公告中表示，預(yù)計(jì)SiC的潛在市場(chǎng)容量將從2021年的20億美元增長(zhǎng)到2026年的65億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率33%?？梢?jiàn)，未來(lái)，碳化硅仍被高度看好。
來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)
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