世界先進(jìn)22日宣布，其領(lǐng)先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，正式進(jìn)入量產(chǎn)。
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世界先進(jìn)宣布0.35微米650 V氮化鎵制程正式量產(chǎn)
來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)
世界先進(jìn)22日宣布，其領(lǐng)先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，正式進(jìn)入量產(chǎn)。
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