近期，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵（β-Ga2O3）單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進行了多次重復(fù)性實驗，成為國內(nèi)首個掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
同時，公司光學(xué)晶體已完成中試，開始轉(zhuǎn)型規(guī)模化量產(chǎn)，其生產(chǎn)的摻雜人工光學(xué)晶體已獲得國內(nèi)國外客戶的廣泛認可，另外磷化銦多晶材料產(chǎn)線也已上線運營，完成重點客戶認證工作，并獲得客戶的長期穩(wěn)定性訂單。
