第四代半導(dǎo)體再突破，我國團(tuán)隊(duì)在 8 英寸硅片上制備出高質(zhì)量氧化鎵外延片
日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在 8 英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著該校在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。
團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。硅上氧化鎵異質(zhì)外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時(shí)擁有成本低和散熱好等優(yōu)勢。
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與前代半導(dǎo)體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場強(qiáng)度與更低的導(dǎo)通電阻，從而能量損耗更低，功率轉(zhuǎn)換效率更高。另外，氧化鎵具有良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，成本低，制備方法簡便、便于批量生產(chǎn)，在產(chǎn)業(yè)化方面優(yōu)勢明顯。
近年來，我國在氧化鎵的制備上連續(xù)取得突破性進(jìn)展，從去年的 2 英寸到 6 英寸，再到最新的 8 英寸，氧化鎵制備技術(shù)越來越成熟。
來源：IT之家
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