據(jù)武漢經(jīng)開區(qū)報(bào)道,近日,東風(fēng)集團(tuán)公布,旗下智新半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體突破,東風(fēng)首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的自主碳化硅功率模塊,日前從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線,完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。
據(jù)悉,智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái),項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā),2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。碳化硅模塊項(xiàng)目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng),廣泛與中央企業(yè)、高等院校開展合作,從模塊設(shè)計(jì)、模塊封裝測(cè)試、電控應(yīng)用到整車路試等環(huán)節(jié),實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)的自主掌控。目前,碳化硅模塊開發(fā)項(xiàng)目已參與國(guó)資委專項(xiàng)課題1項(xiàng),參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定2項(xiàng)。
該碳化硅模塊,采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù),使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板,熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上,工作溫度可達(dá)175℃,損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上,整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。
據(jù)了解,智新半導(dǎo)體成立4年來(lái),已申請(qǐng)受理專利51項(xiàng),其中發(fā)明專利40項(xiàng),已授權(quán)專利20項(xiàng),其中發(fā)明專利11項(xiàng),并獲得湖北省“高新技術(shù)企業(yè)”認(rèn)證,武漢市專精特新“小巨人”企業(yè)認(rèn)定。