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據(jù)西永微電園官微消息，相關負責人表示，三安意法半導體項目已實現(xiàn)主體結構封頂，正在進行室內裝修和設備采購，預計今年8月將實現(xiàn)點亮投產，比原計劃提前2個月。

據(jù)悉，三安意法半導體項目總投資約300億元，全面整合了8吋車規(guī)級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發(fā)制造，致力于建設技術先進的8英寸碳化硅襯底和晶圓工廠。

此前消息顯示，該項目包括一家車規(guī)級功率芯片制造企業(yè)，以及為其提供碳化硅襯底的材料供應商。其中，車規(guī)級功率芯片制造企業(yè)，由國內化合物半導體龍頭企業(yè)三安光電和國際半導體巨頭意法半導體合資設立，規(guī)劃總投資約32億美元，達產后，每年能生產48萬片8吋碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片，主要應用在新能源汽車主驅逆變、充電樁和車載充電器上。