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DRAM勁漲 臺廠“績”昂

DRAM和儲存型快閃記憶體（NANDFlash）在淡季同時缺貨，尤其DRAM漲勢兇猛，讓主要記憶體族群今年營運看旺。國內(nèi)DRAM廠均已退出標準型供應(yīng)正規(guī)戰(zhàn)，轉(zhuǎn)攻利基型市場，以利基型DRAM通常一季議價一次，因而未能享用如三星、SK海力士和美光營運直接受到產(chǎn)品飆漲挹注，但隨著漲勢愈猛，臺廠包括南亞科、華邦電和力晶等，也同步沾光。

　　近期DRAM漲勢主要由三星主導(dǎo)，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，行動式DRAM約15~20%，伺服器用DRAM漲幅在25~30%。三大應(yīng)用領(lǐng)域同飆，讓主要供應(yīng)商三星、SK海力士、美光去年營運翻身，股價也大爆發(fā)，尤其美光股價大漲1.3倍，格外受到矚目。

　　法人看好南亞科、華邦電、旺宏、力晶等擁有記憶體制造產(chǎn)能的公司，本季起業(yè)績將明顯提升，不過南亞科因部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)進20奈米，產(chǎn)出會減少，讓漲價利益失色不少。

　　旺宏因具備NANDFlash和NORFlash兩項記憶體制造實力，加上原來被視為包袱的12寸晶圓廠折舊幾乎攤提完畢，讓旺宏今年光是折舊短少，就可為公司帶來可觀利益，加上兩項記憶體都相繼切入車用及物聯(lián)網(wǎng)等大廠，今年營運改觀。

　　至于模組廠中，則以擁有貨源較多的威剛和群聯(lián)成為大贏家，但隨著低價庫存逐漸消化，預(yù)料第2季起，普遍會承受成本墊高價及調(diào)貨不易等困擾。

　　群聯(lián)稍早已主動公布去年前11月稅前盈余達50.46億元，超越去年整年的44.73億元，每股稅前盈余25.6元。由于10月及11月合計稅前盈余為12.67億元，法人預(yù)期去年第4季獲利仍可超過上季，創(chuàng)單季獲利新高，也將去年全年獲利推向歷史高峰。

來源:經(jīng)濟日報