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紫光布局／Flash軍備競賽再起 產(chǎn)能埋隱憂

儲存型快閃存儲器（NANDFlash）軍備競賽再起，南韓存儲器大廠SK海力士和紫光集團旗下的長江存儲都加入3DNANDFlash軍備競爭，尤其長江存儲武漢廠啟動建廠，將在2018年投產(chǎn)，為屆時市場出現(xiàn)供過于求情況埋下隱憂。

　　目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍然供不應求，但南韓記存儲器大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲器廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但為NANDFlash市場投下新變數(shù)。

　　稍早三星和美光也都宣布進一步擴產(chǎn)行動。三星也正于京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半年啟用，第一期投資額15.6兆韓元（134億美元），估計12寸晶圓產(chǎn)量可達20萬片，雖然三星還未敲定生產(chǎn)項目，但市場推測，因三星DRAM市占已接近50%門檻，有反托辣斯法要求分割疑慮，應仍會以發(fā)展3DNANDFlash為主。

　　另外，三星大陸西安廠NANDFlash首期生產(chǎn)規(guī)模也達每月10萬片。

　　美光并購爾必達后，將新加坡DRAM廠轉為生產(chǎn)NANDFlash，同時也全力發(fā)展3DNANDFlash，其中新加坡10X廠已于今年9月正式投產(chǎn)3DNANDFlash，美光執(zhí)行長鄧肯（MarkDurcan）還專程抵達新加坡主持啟用典禮。

　　全球第二大快閃存儲器供應商東芝半導體也宣布在日本四日市進行擴建，新產(chǎn)能也預定2017年陸續(xù)產(chǎn)出。

來源:經(jīng)濟日報