長(zhǎng)江存儲(chǔ)華力二期同日開(kāi)工
12月30日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目，同日舉行了開(kāi)工啟動(dòng)儀式。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的存儲(chǔ)器項(xiàng)目之一，瞄準(zhǔn)3DNAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國(guó)存儲(chǔ)器有市場(chǎng)無(wú)產(chǎn)品的窘境；華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級(jí)改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國(guó)擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái)，追趕國(guó)際先進(jìn)水平。
12月30日，紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)。據(jù)了解，此次正式開(kāi)工建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來(lái)科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3DNANDFlashFAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過(guò)3萬(wàn)美元。該項(xiàng)目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片，總占地面積1968畝。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。
就在同一天，華力微12英寸先進(jìn)工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目也舉行了開(kāi)工儀式。該項(xiàng)目總投資為387億元，將建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝從28納米起步，最終具備14納米三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。本次開(kāi)工建設(shè)的華力12英寸先進(jìn)工藝集成電路生產(chǎn)線，是“909工程”的二次升級(jí)改造項(xiàng)目，被列為國(guó)家《“十三五”集成電路產(chǎn)業(yè)重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃》的重點(diǎn)項(xiàng)目，也是“十三五”期間上海最大的產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目。項(xiàng)目建成后，華虹集團(tuán)將擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái)。根據(jù)項(xiàng)目規(guī)劃，項(xiàng)目將于2017年底完成基建工程，2018年底完成工藝集成、試生產(chǎn)，逐步提高工藝等級(jí)和產(chǎn)能并達(dá)綱。
來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)
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