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臺積電曝12納米工藝 英特爾：我可能看了假新聞
在先前，臺積電計(jì)劃推出一款由16nm改進(jìn)而來的12nm制程工藝。而在最近臺積電高層表示確實(shí)有研究過類似的東西（12nm），但對于這一命名尚未明確。
按照之前的報(bào)道，臺積電的12nm雖然是16nm的第四代改良版本，但比現(xiàn)時(shí)的16nm擁有更高的晶體管集成度，更低的功耗。目前臺積電的16nm工藝已經(jīng)擁有多個(gè)版本，包括基本的FinFET、進(jìn)階版FinFETPlus以及低功耗版本FinFETCompact。
臺積電的下一代工藝基于10nm，而目前已經(jīng)進(jìn)入初步量產(chǎn)階段，首批重點(diǎn)客戶包括蘋果A11、聯(lián)發(fā)科HelioX30、以及麒麟970。
來源:太平洋電腦網(wǎng)
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