國家大基金奧援存儲器發(fā)展 紫光欲鞏固半壁江山
大陸國家集成電路產業(yè)基金(大基金)成立2年多來，尤其是觀察大陸半導體2016年的發(fā)展，或可列舉3項大事凸顯目前大陸半導體產業(yè)的進程：一、在于大陸境內遍地開花的晶圓廠建設；二、在于大陸存儲器產業(yè)三雄鼎立，挑戰(zhàn)美日韓枕戈待旦；三、在于大陸IC設計企業(yè)數(shù)量光是在2016年期間，倍增高達1,300多家，其發(fā)展態(tài)勢劍指美臺兩大IC設計產業(yè)重鎮(zhèn)。
無巧不巧的是，2016年底正值眾人切切迎接跨年新春到來之際，12月30日，長江存儲的大陸國家存儲器基地和華虹集團旗下華力微電子二期12吋晶圓廠生產線，這兩項持續(xù)受到業(yè)界關注的半導體產業(yè)重大計劃，選在同一天舉行了開工動土儀式。
大基金推動大陸晶圓廠建設步入高峰期
值得注意的是，從2016年底起華力微電子和中芯國際相繼興建12吋廠全新產線、擴充產能，附表可見大陸晶圓廠列表現(xiàn)有產能(已投產)以及興建產能(規(guī)劃興建中)的12吋廠、8吋廠等各家半導體公司產能與地點所在。
在大基金的推動下，大陸晶圓廠建設步入高峰期，國際半導體產業(yè)協(xié)會公布的2016~2017年全球新建晶圓廠至少19座，其中有10座位于大陸，而除了總投資人民幣387億元的華力微電子二期12吋廠計劃，日前在上海開工外，中芯國際深圳12吋廠也于日前啟動，成為華南地區(qū)第一條12吋生產線，預計2017年底前投產。
另根據(jù)SEMI最新關于全球晶圓廠預估報告顯示，估計在2017~2020年間，全球將有62座新的晶圓廠陸續(xù)投產，大陸在同時將有26座新建的晶圓廠投入營運，占了全球新增晶圓廠的比重高達42%，而美國和臺灣在同一期間新增晶圓廠合計為19座。
隨著大陸《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》的執(zhí)行，大陸半導體產業(yè)掀起高速發(fā)展的投資熱潮，而長江存儲與華力微電子也是大陸半導體大基金斥資超過2家公司40~50%股權比重的重點計劃。長江存儲可說是大陸境內最大的存儲器產業(yè)發(fā)展計劃之一，鎖定3DNANDFlash技術，預計紫光這項投資總額高達240億美元的全球最大3DNANDFlash晶圓廠建成后，將可望扭轉大陸存儲器產業(yè)擁有龐大市場、然缺乏產品產能的窘境。
基金搭橋長江存儲國家級存儲器基地趙偉國儼然躍居陸半導體政策主導者之一
紫光集團先前欲購并美光科技(Micron)、與SK海力士洽談授權最后都無疾而終，最終與獲得大陸存儲器統(tǒng)籌資源的武漢新芯合并，進一步成立長江存儲公司。若依照紫光集團兼長江存儲公司董事長趙偉國的說法，他認為當前存儲器芯片占了整體半導體產業(yè)產值約在25%以上，而隨著移動網路、大數(shù)據(jù)(BigData)以及云端運算的發(fā)展，對存儲器芯片的需求勢必水漲船高，未來5年，存儲器芯片產值占比可能上看超過45%，因此，對大陸來說，發(fā)展半導體產業(yè)若不涉足存儲器領域，恐將失去半壁江山。
在大基金的牽線下，2016年7月紫光集團宣布收購武漢新芯(XMC)50%以上股權，成立長江存儲技術公司，武漢新芯成為長江存儲旗下的全資子公司，此舉避免重復投資、實現(xiàn)各方優(yōu)勢資源共享。公司注冊資本分兩期出資，第一期由大陸半導體大基金、湖北國芯產業(yè)投資基金和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，由趙偉國擔任長江存儲董事長，國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司總經理、也是大基金的操盤手丁文武擔任長江存儲的副董事長一職，前中芯國際營運長楊世寧擔任總經理。
值得注意的是，丁文武與趙偉國的丁趙聯(lián)手，不僅在某種程度上象征著先前互搶資源、隱然存有瑜亮情結的兩人在大陸官方強力明示暗示要求下捐棄前嫌，支持大陸存儲器產業(yè)應由紫光主導，才將更具有競爭力，而趙偉國這個長江存儲董事長的新身分，也似乎代表他已經躍居大陸國家半導體政策的主導者之一。
大陸存儲器勢力崛起恐改寫全球版圖格局
第二期將由紫光集團和大基金共同出資，紫光集團將持有武漢長江存儲科技有限公司超過50%的股份，而其他股份則多由大陸半導體大基金所持有，顯見紫光集團所打造位于湖北的大陸國家級存儲器產業(yè)基地，儼然有著大陸官方的強力奧援，2016年底長江存儲興建首座12吋廠，在Spansion技術授權下，最快可望在2017年底產出32層堆疊3DNANDFlash芯片，帶領大陸擠進NANDFlash領域。
存儲器產業(yè)已經成為大陸官方投資的重要方向，企圖實現(xiàn)從無到有的格局，有鑒于大陸存儲器產業(yè)系奠定在當?shù)厥袌鲂枨罂焖僭鲩L的基礎上。就以NANDFlash來說，由于移動裝置需求的快速成長，以及服務器、數(shù)據(jù)中心的大量建置，預期大陸市場在NANDFlash消耗量占全球的比重，將于2017年達到3成以上，估計到了2020年將超過4成。
然而以現(xiàn)階段來說，大陸存儲器芯片卻是半導體四大產品類型中自給率最低的部分，而未來大陸存儲器勢力的崛起，勢必將改寫全球存儲器版圖的格局，事實上，美光執(zhí)行長MarkDurcan日前來臺完成華亞科收購案時便提出示警。
他認為假使大陸當真支出其信誓旦旦所宣示的資金來擴充存儲器產能，極有可能導致存儲器市場產能過剩惡夢重演，雖說未來存儲器市場需求仍可望擴增，展望未來18個月的市場前景相當樂觀，但眺望1年半以后的市場需求，約在2017年底到2018年間陸廠陸續(xù)投產后，大陸擴充存儲器產能此舉，絕對值得令人關切。
大陸存儲器分三路進擊長江存儲、福建晉華、合肥長鑫切入NAND與DRAM
觀察大陸發(fā)展存儲器分三路進擊，除了由武漢新芯合體組成的長江存儲，以及臺灣聯(lián)電相助的福建晉華存儲器基地計劃，第三股勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯國際執(zhí)行長王寧國主導的合肥長鑫合作下，也蠢蠢欲動；長江存儲先從3DNANDFlash切入，但在DRAM進展上，雖浮現(xiàn)與美光(Micron)洽談技轉傳聞，還未有眉目，然紫光從臺灣華亞科延攬來的前董座高啟全，另有消息傳出正招兵買馬、透過人脈挖角臺灣DRAM相關人才，或為DRAM建廠預作準備。
至于在DRAM進展有較大突破的為福建后起勢力，福建省政府于2016年5月間宣布，其所投資的晉華集成電路已與臺灣聯(lián)電簽訂技術合作協(xié)定，由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā)DRAM相關制程技術，生產利基型DRAM，該聯(lián)電團隊由美光臺灣區(qū)前總經理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤領軍，而福建晉華于7月間建廠12吋廠奠基的同時，也已經在臺灣南科建立小規(guī)模試產線，估計2017年底完成技術開發(fā)、2018年下半試產，并預計在2019年以前將產線轉移至福建晉華新建晶圓廠投產。
值得注意的是，表面上，大陸國家集成電路產業(yè)投資基金雖然并未在第一線金援福建晉華存儲器計劃，然實際上大基金早于2016年2月間便投資福建安芯產業(yè)投資基金人民幣25億元，支持福建半導體產業(yè)發(fā)展，例如晉華存儲器開發(fā)計劃便是。
大陸存儲器產業(yè)發(fā)展第三勢力則是位于合肥，這股欲起的DRAM勢力在前爾必達(Elpida)社長坂本幸雄淡出合肥后，由大陸本土NORFlash廠商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與中芯國際前執(zhí)行長王寧國所主導，2016年10月，合肥長鑫集成電路有限責任公司長鑫12吋存儲器晶圓制造基地計劃初次環(huán)境評估揭示，顯示合肥發(fā)展存儲器產業(yè)該計劃投資金額接近人民幣500億元，目前兆易創(chuàng)新將與武岳峰等大陸基金購并的美國半導體廠硅成(ISSI)合并，成為在湖北長江存儲以外，大陸另一家DRAM/Flash發(fā)展兼具的存儲器廠商。
來源:DIGITIMES
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