5月1日起芯片磁條復合卡“磁條”功能將關(guān)閉
記者24日從中國半導體協(xié)會主辦、賽迪顧問承辦的“2017中國半導體市場年會暨第六屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會”獲悉,2017年有望成為國產(chǎn)存儲器大規(guī)模主流化發(fā)展元年。
3DNANDFlash、DRAM是智能手機存儲芯片,中國企業(yè)一直缺席這兩個主要市場。記者從2017中國半導體市場年會獲悉,這一狀況有望改變。目前國內(nèi)存儲器芯片主要參與者有三個,分別是湖北武漢的長江存儲、福建泉州的晉華存儲以及紫光集團。其中,長江存儲初期定位Flash產(chǎn)品,后期將擴展DRAM產(chǎn)品,晉華存儲項目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團除直接入股長江存儲外,還將在不同地點布局Flash、DRAM產(chǎn)品。
賽迪顧問人士透露,在兩年的準備期之后,2017年上述項目將進入實質(zhì)性項目建設階段。長江存儲目前是進展最快的一方,其本身在Flash領域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗,有望率先量產(chǎn)。晉華項目已經(jīng)開工建設,項目運營由經(jīng)驗豐富的臺灣臺積電負責,技術(shù)則委托聯(lián)電進行開發(fā)。紫光集團目前在南京開工新建Flash產(chǎn)線。
來源:中國證券網(wǎng)
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