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10年千億美元，紫光集團目標躋身全球前五的存儲器企業(yè)

國家01專項技術總師、清華大學微電子學研究所所長魏少軍曾說過，存儲器產業(yè)講求規(guī)模，是一個需要長期持續(xù)投入的行業(yè)。據(jù)臺灣電子時報報道，紫光集團全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲代行董事長高啟全透露，紫光集團以拿下25%的DRAM市占為目標，若計入3DNAND投入成本，需要長達十年共計1000億美元的投資金額。

　　DRAM產業(yè)正在從一個波動劇烈的市場，逐漸走向成熟?，F(xiàn)階段，DRAM技術每進入新一代制程技術僅增加20%的半導體機臺設備，這意味著既存的半導體廠商的多數(shù)機臺設備已經折舊完，如果購買全新的設備投入追趕顯得并不明智。然而，在傳統(tǒng)2D走向3DNAND技術時，幾乎所有的半導體機臺設備都要更換，技術也在革新中，在投入方面所有存儲器廠商都處在同一個出發(fā)點，踩準這一時機大力投入，積極追趕是非常好的機會。

　　在具體的投入金額方面，高啟全算了一筆賬。紫光集團拿下25%的DRAM市占為目標做例子，晶圓廠的每月單月產能在30萬片，制程設備方面投資需要270億美元，建廠成本在330億美元，產能滿載后的每年固定投資在30~40億美元，累計5年再投資150~200億美元，總投資金額需要480~530億美元，若再計入3DNAND的投資計劃，未來10年紫光集團在存儲器領域的總投資金額將高達1000億美元。

　　這是一筆巨大的投入?；仡櫯_灣存儲器產業(yè)的失敗的原因，高啟全表示，1985年，英特爾正式退出DRAM領域，在經歷了日本、韓國積極投入，后來者居上，韓國最終坐穩(wěn)了第一把交椅。臺灣在2008年成立臺灣創(chuàng)新內存（TMC/TIMC）計劃集中發(fā)展DRAM產業(yè)資源，但終究因為資金問題未能如愿，原本5000億新臺幣的資金需求，政府僅提供了80億，遠遠達不到預期。

　　他強調，“現(xiàn)在唯一有機會成為全球抗衡三星勢力的只有大陸，紫光會把這夢化為具體的實踐！”一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，目前只有大陸有能力有資金投入進來，長江存儲就是基于這個出發(fā)點而誕生，也是大基金唯一真正投資的存儲器企業(yè)。

　　目前，長江存儲已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3DNAND開發(fā)，同時考慮研發(fā)20/18納米的DRAM產品，希望在技術開發(fā)具有一定競爭力后再投產。據(jù)長江存儲CEO楊士寧介紹，其32層3DNAND芯片順利實現(xiàn)了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，今年底將提供樣片，繼續(xù)向64層3DNAND發(fā)展。高啟全高調歡迎美光（Micron）加入合作，直言雙方合則兩利，美光近一年來在全球DRAM市占率從28%掉到18%，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗，未來只會更辛苦。

　　據(jù)集微網(wǎng)了解，繼長江存儲武漢的生產基地動工后，紫光集團董事長趙偉國表示，再砸460億美元在成都和南京兩地啟動半導體基地，三個生產基地合計共投入700億美元。他希望在十年內，紫光集團將躋身全球前五大存儲器制造商?！爸灰凶銐虻臅r間，中國半導體就能發(fā)展起來?！?/span>

　　在人才方面，市場傳出紫光集團網(wǎng)羅前晨星創(chuàng)辦人楊偉毅出任紫光旗下長江存儲公司CTO，又延攬晶圓代工廠聯(lián)電前CEO孫世偉，擔任全球執(zhí)行副總裁一職。楊偉毅是當初晨星的研發(fā)領袖，半導體業(yè)界人士評估，他的技術能力將讓紫光如虎添翼。而孫世偉加入后，將協(xié)助紫光在成都設立12寸晶圓廠，擴大紫光集團在整個半導體藍圖的構建，與高啟全聯(lián)手共筑邏輯和存儲器的雙版圖。

來源:集微網(wǎng)