格芯7納米FinFET工藝交付在即
格芯（GlobalFoundries）6月14日宣布，推出其具有7納米領(lǐng)先性能的（7LP）FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，將滿足諸如高端移動(dòng)處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。格芯稱，與原有的14納米FinFET相比，全新的7LP技術(shù)將提升40%的性能，目前設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無(wú)可比擬的技術(shù)積淀，來(lái)研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)計(jì)面積將縮小一半，同時(shí)處理性能提升超過(guò)40%。目前，在格芯位于紐約薩拉托加縣的全球領(lǐng)先的Fab 8晶圓廠內(nèi)，該技術(shù)已經(jīng)做好了為客戶設(shè)計(jì)提供服務(wù)的準(zhǔn)備。
格芯CMOS業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Gregg Bartlett表示，在推動(dòng)2018年計(jì)劃出廠的多樣化7納米芯片于未來(lái)一年中實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)化的同時(shí)，格芯正在通過(guò)與合作伙伴IBM和三星的密切合作，積極開(kāi)發(fā)下一代5納米及其后續(xù)的技術(shù)。
格芯的7納米FinFET技術(shù)充分利用了其在14納米FinFET技術(shù)上的批量制造經(jīng)驗(yàn)，該技術(shù)于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開(kāi)始生產(chǎn)。為了加快7LP的量產(chǎn)進(jìn)程，格芯正在持續(xù)投資最新的工藝設(shè)備能力，包括在今年下半年首次購(gòu)進(jìn)兩個(gè)超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量產(chǎn)提升將依托傳統(tǒng)的光刻方式，當(dāng)具備批量生產(chǎn)條件時(shí)，將遷移至EUV光刻技術(shù)。
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