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臺積電拿下高通LTE芯片7納米訂單   

　　 高通在全球移動通訊大會（MWC）前夕發(fā)布業(yè)界傳輸速率最高的X24基帶芯片，采用7納米FinFET制程生產(chǎn)，而整合X24的Snapdragon855（驍龍855）手機芯片也將在今年底采用7納米FinFET制程投片。業(yè)界人士指出，高通今、明兩年7納米LTE芯片代工訂單已由臺積電拿下，明年下半年試產(chǎn)的5G芯片則選擇三星7納米極紫外光（EUV）制程生產(chǎn)。

　　雖然今年MWC大會中，5G才是市場熱門焦點，但5G商用時間表大約落在2020年，因此，今、明兩年4GLTE仍然會是智能手機主流技術(shù)。高通在MWC開展前夕發(fā)表X24基帶芯片，傳輸速率高達每秒2Gb，可說是現(xiàn)階段地表最強LTE基帶芯片。高通也宣布X24芯片將采用7納米FinFET制程生產(chǎn)，業(yè)界人士指出臺積電是唯一獨家晶圓代工廠。

　　高通7納米X24基帶芯片最大特色是支持最高7個載波聚合（7xCA）技術(shù)，亦是全球首款Cat.20LTE基帶芯片，能夠同時支持最多達20路的LTE數(shù)據(jù)流，等于可以合理利用電信業(yè)者所提供的全部頻譜資源。高通將在MWC大會中與Telstra、Ericsson、Netgear等設(shè)備商或電信業(yè)者合作進行X24傳輸示范。

　　高通雖然才在去年底推出驍龍845手機芯片，采用三星10納米制程生產(chǎn)，但隨著X24基帶芯片正式推出，高通新一代搭載X24的驍龍855手機芯片將會在今年底前亮相，并且同樣采用臺積電7納米制程投片。而驍龍855平臺除了傳輸速率全球最快，也會加強在人工智能及相機數(shù)位訊號處理器（ISP）等運算功能，不排除會再加入第三代超音波屏幕指紋識別技術(shù)。

　　業(yè)界人士透露，由于全球5G規(guī)范及標準尚未完全敲定，5G要進入商用的時間點大約落在2020年，因此今、明兩年高通的主力戰(zhàn)場仍然在4GLTE市場。雖然高通及三星日前宣布合作，高通5G芯片將采用三星7納米EUV制程，但試產(chǎn)時間應(yīng)該落在明年下半年。由此來看，高通今、明兩年的4GLTE芯片要全速轉(zhuǎn)進7納米，代工訂單幾乎都由臺積電拿下。

　　臺積電今年資本支出介于105～110億美元，首要投資項目就是以最快速度拉高7納米產(chǎn)能。臺積電已有10顆7納米芯片完成設(shè)計定案（tape-out），今年底前將有超過50顆7納米芯片可完成設(shè)計定案，除了高通7納米訂單重回臺積電手中，第二季后包括蘋果、賽靈思（Xilinx）、超微、輝達（NVIDIA）、海思等7納米訂單也將陸續(xù)進入量產(chǎn)。也難怪臺積電董事長張忠謀會在日前法說會中表示，現(xiàn)階段臺積電在7納米的市占率已達100％。

來源:中時電子報