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日前，大連理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院教授黃輝團隊發(fā)明了無漏電流“納米線橋接生長技術(shù)”。

該項發(fā)明解決了納米線器件的排列組裝、電極接觸及材料穩(wěn)定性問題，研制出高可靠性、低功耗及高靈敏度的GaN納米線氣體傳感器，該傳感器可推廣至生物檢測以及應(yīng)力應(yīng)變檢測等。 

相較于傳統(tǒng)體材料和薄膜材料，半導(dǎo)體納米線具有許多獨特優(yōu)勢：大的比表面積可以提高器件的靈敏度，易于形變可以提升材料的集成能力，納米級的導(dǎo)光和導(dǎo)電通道可以制作單根納米線光子器件。此外，納米線優(yōu)異的機械性能以及靈活多樣的結(jié)構(gòu)，使其具有較好的柔韌性，且可形成芯包層和交叉網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。 

黃輝表示，而與MEMS器件相比，半導(dǎo)體納米線的尺度縮小了1000倍，面積縮小100萬倍。因此，納米線是最小的器件，也是微納傳感器的理想選擇。

團隊研制出的集成納米線氣體傳感器——GaN納米線氣體傳感器，經(jīng)檢測可在室溫下工作，8個月電阻變化率<0.8%，且NO2檢測限為0.5ppb，具有高穩(wěn)定性、低功耗以及高靈敏度等特點。

北京郵電大學(xué)電子工程學(xué)院教授忻向軍表示，該技術(shù)首次實現(xiàn)了“無漏電流”GaN橋接納米線，研制出的GaN納米線氣體傳感器將推動傳感芯片的發(fā)展。