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此前處理器龍頭廠商英特爾(Intel)的財務長George Davis在公開場合表示，目前除了10納米產(chǎn)能正在加速之外，英特爾還將恢復制程技術領先的關鍵部分寄望在未來更先進制程的發(fā)展上，包括英特爾將在2021年推出7納米制程技術，并且將在7納米制程的基礎上發(fā)展出5納米制程。對于英特爾5納米制程的發(fā)展，現(xiàn)在有外媒表示，在這個節(jié)點上英特爾將會放棄FinFET電晶體，轉(zhuǎn)向GAA電晶體。

根據(jù)外媒《Profesionalreview》的報導表示，隨著制程技術的升級，芯片的電晶體制作也面臨著瓶頸。英特爾最早在22納米的節(jié)點上首先使用了FinFET電晶體技術，當時叫做3D電晶體，就是將原本平面的電晶體，變成立體的FinFET鰭式場效電晶體，不僅提高了芯片的性能，也降低了功耗。之后，F(xiàn)inFET電晶體也成為全球主要晶圓廠制程發(fā)展的選擇，一直用到現(xiàn)在的7納米及5納米制程節(jié)點上。

作為之前先進制程的領導者，英特爾曾提到目前5納米制程正在研發(fā)中。只是，對于制程的發(fā)展并沒有公布詳情。因此，根據(jù)《Profesionalreview》的報導，英特爾在5納米節(jié)點上將會放棄FinFET電晶體，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極電晶體。

報導強調(diào)，目前在GAA電晶體上也有多種技術發(fā)展路線。如之前三星提到自家的GAA電晶體相較于第一代的7納米制程來說，能夠提升芯片35%的性能，并且降低50%的功耗以及45%的芯片面積。對于三星而言，GAA電晶體就已經(jīng)有這樣的效能，而英特爾在技術實力上會比三星要更加強大，未來英特爾在GAA電晶體的發(fā)展上，期提升效能應該會更加明顯。

報導進一步強調(diào)，如果能在5納米制程節(jié)點上進一步采用GAA電晶體，則日前英特爾財務長所強調(diào)的“英特爾將在5納米制程節(jié)點上重新奪回領導地位”的說法就可能比較容易實現(xiàn)。

至于，另一個市場上的強勁競爭對手臺積電，目前在2020年首季準備量產(chǎn)5納米制程上，依舊采用FinFET電晶體。但是，到了下一世代的3納米節(jié)點，目前臺積電還尚未公布預計的制程方式。根據(jù)臺積電官方的說法，其3納米相關細節(jié)將會在2020年的4月29日的的北美技術論壇上公布。

另外，英特爾5納米制程的問世時間目前也還沒明確的時間表。不過，英特爾之前提到7納米之后制程技術發(fā)展周期將會回歸以往的2年升級的節(jié)奏上，因此就是表示最快2023年就能見到英特爾的5納米制程技術問世。