近日，知名咨詢機構(gòu)Yole Developpement發(fā)布了最新數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球半導(dǎo)體廠商在先進封裝領(lǐng)域的資本支出約為119億美元。其中，英特爾投入35億美元發(fā)展先進封裝技術(shù)，中國臺灣的臺積電在先進封裝領(lǐng)域投入30.5億美元，日月光在先進封裝領(lǐng)域投入20億美元，三星在先進封裝領(lǐng)域的資本支出為15億美元。中國大陸方面，長電科技和通富微電上榜，在先進封裝領(lǐng)域的投入額分別為5.93億美元和4.87億美元。
未來幾年，先進封裝的市場規(guī)模有望不斷擴大。據(jù)Yole Developpement測算，預(yù)計到2027年，先進封裝市場收入將達到78.7億美元，高于2021年的27.4億美元。預(yù)計2021年至2027年間，先進封裝市場的復(fù)合年均增長率將達到19%。
從具體市場份額來看，預(yù)計到2027年，UHD FO (超高密度扇出)、HBM(高帶寬顯存)、3DS（3D內(nèi)存封裝）和有源硅中介層將占總市場份額的50%以上。與此同時，嵌入式硅橋、3D NAND 堆棧、3D SoC 和HBM(高帶寬顯存)的復(fù)合年均增長率將大于20%，市場增速最為明顯。
就具體廠商而言，英特爾、臺積電、日月光和三星在先進封裝領(lǐng)域的資本投入較大。根據(jù)Yole Developpement統(tǒng)計，2021年，英特爾投入35億美元，以支持Foveros3D封裝技術(shù)和EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)技術(shù)的發(fā)展；臺積電在先進封裝領(lǐng)域投入30.5億美元，目前正在為3D片上系統(tǒng)組件定義新的系統(tǒng)級路線圖和技術(shù)；日月光在先進封裝領(lǐng)域投入20億美元，該公司推出的Chip Last FOCoS先進封裝已于2021年實現(xiàn)量產(chǎn)；三星作為3D堆疊內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，在先進封裝領(lǐng)域的資本支出為15億美元。
中國大陸方面，長電科技在先進封裝領(lǐng)域的資本投入額為5.93億美元，通富微電的資本投入額為4.87億美元。
“先進封裝技術(shù)作為超越摩爾定律發(fā)展的重要手段之一，實現(xiàn)不同工藝器件的一體化互連是當前電子系統(tǒng)小型化、實用化、多功能化的使能技術(shù)?！比A進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司副總經(jīng)理、江蘇省產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院半導(dǎo)體封裝技術(shù)研究所常務(wù)副所長秦舒向《中國電子報》記者表示，隨著芯片制程的進一步微縮，先進封裝技術(shù)存在向晶圓廠轉(zhuǎn)移的趨勢，如臺積電布局封測業(yè)務(wù)，并壟斷高端封測領(lǐng)域，其InFO、CoWoS、SoIC技術(shù)鎖定量少質(zhì)精的高端芯片封裝，晶圓廠降維整合封測技術(shù)對產(chǎn)業(yè)格局有著深刻的影響。
