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三星宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的 1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第 8 代 V-NAND。1Tb 的全新 V-NAND 在目前三星 V-NAND 中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。

三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術，三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度，使三星的存儲密度達到了新的高度?；谧钚?NAND 閃存標準 Toggle DDR 5.0 接口的三星第 8 代 V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達 2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了 1.2 倍，這可以滿足 PCIe 4.0 和更高版本 PCIe 5.0 的性能要求。

來源：全球 TMT