據(jù)晶盛機電官微消息，11月4日，晶盛機電舉行“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項目”簽約暨啟動儀式，旨在加快半導(dǎo)體材料端的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代。
據(jù)悉，此次簽約項目總投資21.2億元，建成后，晶盛機電將利用自身的技術(shù)和資源優(yōu)勢，加快碳化硅襯底片的關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化，加速推進第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化進程。晶盛機電董事長曹建偉博士表示，此次碳化硅襯底片項目啟動，是晶盛機電創(chuàng)新增長的重要方向。
據(jù)了解，晶盛機電自2017年開始碳化硅晶體生長設(shè)備和工藝的研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8 英寸碳化硅晶體生長、切
