據(jù)中科重儀半導體科技有限公司官微消息，近日，蘇州中科重儀半導體材料有限公司（以下簡稱“中科重儀”）自主研發(fā)的應用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。這意味著電力電子方向的功率型氮化鎵外延片生產(chǎn)將擺脫進口依賴，完全實現(xiàn)自主可控。
中科重儀依托先進的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，專注于第三代半導體大尺寸硅基氮化鎵外延片研發(fā)與制造，致力于為電力電子領(lǐng)域提供高質(zhì)量氮化鎵材料解決方案。據(jù)介紹，中科重儀生產(chǎn)的氮化鎵外延片，氮化鎵層厚度約5μm表面無裂紋，翹曲度小于100μm。HEMT結(jié)構(gòu)室溫下，方塊電阻為465Ω/sq，二維電子氣（2DEG）濃度約8×1013cm-2、2DEG遷移率大于2000 cm2/Vs，片內(nèi)與片間不均勻性小于1%，可以滿足電力電子領(lǐng)域功率器件開發(fā)與應用需求，在實現(xiàn)氮化鎵外延片生產(chǎn)成本大幅降低的同時擺脫了對進口設(shè)備的依賴、。
