據(jù)北京順義官微消息，中關(guān)村順義園企業(yè)北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
據(jù)悉，銘鎵半導(dǎo)體半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米×25毫米尺寸，而銘鎵半導(dǎo)體可以做到40毫米×25毫米尺寸，可穩(wěn)定生產(chǎn)多爐且累計一定庫存。導(dǎo)電型（001）錫摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國際上可達到4英寸，銘鎵半導(dǎo)體已實現(xiàn)大尺寸襯底工藝突破，并將逐步穩(wěn)定工藝供貨。
